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高性能固態紫外光電探測器

來源:信息發布     作者:信息發布人員     發布時間:2016年04月27日     瀏覽次數:         

  

  

材料

編號

封裝形式

芯片面積/mm2

GaN

GT-ABC-L

TO-46

1.00

GS-AB-2835

SMD2835

0.11

  應用領域:

  紫外輻射監測

  太陽光紫外指數監測

  火焰監測

  GT-ABC-L

  特點:

  響應波段:UVA+UVB+UVC

  光伏工作模式

  TO46金屬封裝

  可見光無響應

  高響應度,低暗電流

  用途: 紫外線指數檢測,紫外輻射劑量測量,火焰監測

  相關參數:

參數

符號

額定值

單位

最大額定值

工作溫度范圍

Topt

-25-85

oC

存儲溫度范圍

Tsto

-40-85

oC

焊接溫度 (3 s)

Tsol

260

oC

最大反向電壓

Vr-max

-10

V

基本特性 (25 oC)

芯片尺寸

A

1

mm2

暗電流 (Vr = -5 V)

Id

<1

nA

溫度系數

Tc

-0.1

%/ oC

電容 (偏壓0 V,頻率1MHz)

Cp

23

pF

光譜響應特性 (25 oC)

峰值響應波長

λ p

355

nm

峰值響應度 (355 nm)

Rmax

0.20

A/W

光譜響應范圍 (R=0.1×Rmax)

-

210-370

nm

紫外/可見光抑制比 (Rmax/R400 nm)

-

>104

-

  GS-AB-2835

  特點:

  響應波段:UVA+UVB

  光伏工作模式

  SMD 2835封裝

  可見光無響應

  高響應度,低暗電流

  用途: 紫外線指數檢測,紫外輻射劑量測量,火焰監測

  相關參數:

參數

符合

額定值

單位

最大額定值

工作溫度范圍

Topt

-25-85

oC

存儲溫度范圍

Tsto

-40-85

oC

焊接溫度 (3 s)

Tsol

260

oC

最大反向電壓

Vr-max

-10

V

基本特性 (25 oC)

芯片尺寸

A

0.11

mm2

暗電流 (Vr = -1 V)

Id

<1

nA

溫度系數

Tc

-0.1

%/ oC

電容 (偏壓0 V,頻率1MHz)

Cp

6

pF

光譜響應特性 (25 oC)

峰值響應波長

λ p

355

nm

峰值響應度 (355 nm)

Rmax

0.20

A/W

光譜響應范圍 (R=0.1×Rmax)

-

280-370

nm

紫外/可見光抑制比 (Rmax/R400 nm)

-

>104

-

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